[发明专利]一种芯片边缘结构及制作方法在审
| 申请号： | 201810935804.9 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110838471A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈伟钿;周永昌;张永杰;李浩南 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 201302 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种芯片边缘结构及制作方法。其中，芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层，钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面，并且钝化层具有至少一个凹陷区；有机膜层沿预设方向设置在钝化层的表面，并且填充每个凹陷区。由于有机膜层填充钝化层的凹陷区，有机膜层能够牢固地与钝化层固化，因此，钝化层在工艺期间不容易发生削皮或脱落现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 边缘 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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