[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810936865.7 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109841622A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 曹圭镐;姜相列;文瑄敏;朴瑛琳;徐钟泛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 第一电极 半导体器件 第二电极 介电材料 衬底 半导体存储器件 结晶诱导 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一电极，位于衬底上；第二电极，位于所述衬底上；介电层结构，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及结晶诱导层，位于所述介电层结构与所述第一电极之间，其中，所述介电层结构包括：第一介电层，包括第一介电材料，以及第二介电层，位于所述第一介电层上，所述第二介电层包括第二介电材料，并且其中，所述第一介电材料包括具有四方晶相的氧化铪。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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