[发明专利]LDMOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810936906.2 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110838525B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王孝远;郭兵;詹奕鹏;辜良智;季明华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS器件及其形成方法，在衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构，然后再在所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁及所述栅极结构与所述漏区之间的衬底上形成场极板，所述场极板的导电板、绝缘板及中间板可以构成若干个电容器结构，所述LDMOS器件在工作时，不仅可以在源区和漏区施加电压，还可以通过在导电板上加电压以改变若干个电容器的场强，从而更加灵活的改变所述源区至漏区通路上的场强，进而提高了器件的性能；进一步，在后续在形成导电插塞时，中间板的存在可以避免由于工艺误差把导电插塞打到绝缘板上的情况，使加工导电插塞的余量更大，工艺更稳定，形成的器件可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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