[发明专利]一种兼容多电平输入的接口电路有效
申请号: | 201810937823.5 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN108880527B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 方健;冯垚荣;雷一博;王定良;段艳秋;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/0185 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种兼容多电平输入的接口电路,属于集成电路技术领域。包括基准预稳压模块、基准核心模块、滞回比较模块和阈值控制模块,基准预稳压模块用于将电源电压转换为稳定的低电源电压为基准核心电路供电;基准核心模块用于产生第一基准电压和第二基准电压,滞回比较模块在阈值控制模块的控制下,将第一基准电压或第二基准电压接入滞回比较模块与输入信号做比较。本发明能够作为IPM的接口电路,具有能够兼容多种不同的输入电平、供电电压取值范围宽、在不同的工作电压和温度下抗噪声的能力稳定、面积小以及成本低的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 兼容 电平 输入 接口 电路 | ||
【主权项】:
1.一种兼容多电平输入的接口电路,其特征在于,包括基准预稳压模块、基准核心模块、滞回比较模块和阈值控制模块,所述基准预稳压模块用于将电源电压(VCC)转换为稳定的低电源电压(VDD),所述低电源电压(VDD)为所述基准核心模块供电;所述基准核心模块用于产生第一基准电压(REF_1)和第二基准电压(REF_2),其中所述第一基准电压(REF_1)的电压值大于所述第二基准电压(REF_2)的电压值;所述滞回比较模块包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)和第十PMOS管(MP10),第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的漏极分别连接所述第一基准电压(REF_1)和所述第二基准电压(REF_2),其源极互连并连接第八PMOS管(MP8)的栅极;第七PMOS管(MP7)的栅极连接第十PMOS管(MP10)的栅极并连接偏置信号,其源极连接第十PMOS管(MP10)的源极并连接电源电压(VCC),其漏极连接第八PMOS管(MP8)和第九PMOS管(MP9)的源极;第九PMOS管(MP9)的栅极作为所述接口电路的输入端,其漏极连接第三NMOS管(MN3)的栅极以及第四NMOS管(MN4)的栅极和漏极;第五NMOS管(MN5)的栅极连接第三NMOS管(MN3)和第八PMOS管(MP8)的漏极,其漏极连接第十PMOS管(MP10)的漏极并作为所述滞回比较模块的输出端,其源极连接第三NMOS管(MN3)和第四NMOS管(MN4)的源极并接地(GND);所述阈值控制模块包括第一反相器和第二反相器,第一反相器的输入端连接所述滞回比较模块的输出端,其输出端连接第二反相器的输入端和第二NMOS管(MN2)的栅极;第二反相器的输出端作为所述接口电路的输出端并连接第一NMOS管(MN1)的栅极。
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