[发明专利]Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板

摘要

本发明提供一种Micro‑LED巨量转移方法及Micro‑LED基板，该方法包括：提供转移板，转移板包括：衬底、位于衬底上的绝缘膜层和多个第一金属焊盘，绝缘膜层上具有多个凹槽，第一金属焊盘位于凹槽内；提供多个Micro‑LED晶粒，Micro‑LED晶粒的背部具有第二金属焊盘；在第一金属焊盘上或第二金属焊盘上形成焊料；将转移板和Micro‑LED晶粒置于盛有溶剂的腔室内，振动腔室，使Micro‑LED晶粒落入转移板的凹槽内，Micro‑LED晶粒上的第二金属焊盘与凹槽内的第一金属焊盘通过焊料接触，腔室内的温度高于焊料的熔点；使焊料固化。本发明的Micro‑LED巨量转移方法，良率高且成本低。

主权项

1.一种Micro‑LED巨量转移方法，其特征在于，包括：提供转移板，所述转移板包括：衬底以及位于所述衬底上的绝缘膜层和多个第一金属焊盘，所述绝缘膜层上具有多个用于装载Micro‑LED晶粒的凹槽，所述第一金属焊盘位于所述凹槽内；提供多个Micro‑LED晶粒，所述Micro‑LED晶粒的背部具有第二金属焊盘，所述Micro‑LED晶粒的背部为与所述Micro‑LED晶粒的发光侧相背的一侧；在所述转移板的第一金属焊盘上或所述Micro‑LED晶粒的第二金属焊盘上形成焊料；将所述转移板和所述Micro‑LED晶粒置于一盛有溶剂的腔室内，并振动所述腔室，使所述Micro‑LED晶粒在振动作用下，落入所述转移板的所述凹槽内，落入所述凹槽内的所述Micro‑LED晶粒上的第二金属焊盘与所述凹槽内的第一金属焊盘通过所述焊料接触，其中，所述腔室内的温度高于所述焊料的熔点；对所述转移板进行降温，使所述焊料固化，形成Micro‑LED基板。