[发明专利]形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管

摘要

本公开的实施例涉及形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管。一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140)，在牺牲层(140)之上形成图案层(150)，将图案层(150)图案化为经图案化的结构，形成与经图案化的结构的侧壁相邻的间隔物(160)，去除经图案化的结构，使用间隔物(160)作为蚀刻掩模蚀刻穿过牺牲层(140)并蚀刻到半导体衬底(100)中，从而在半导体衬底(100)中形成沟槽，将导电材料(210)填充到半导体衬底(100)中的沟槽中以形成栅极电极。

主权项

1.一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成硬掩模层(120，130)；对所述硬掩模层(120，130)进行图案化以形成硬掩模部分(109)；蚀刻穿过所述硬掩模部分(109)到所述半导体衬底(100)中，从而在所述半导体衬底(100)中形成沟槽(105)，其中半导体台面由所述沟槽中的相邻沟槽限定；将填充材料(105，210，215)填充到所述半导体衬底(100)中的所述沟槽(105)中，以使所述硬掩模部分(109)的顶部部分暴露，从而所述填充材料包括用于形成所述栅极电极(310)的导电材料(210)；选择性地部分移除所述硬掩模部分至所述填充材料，以限定在所述平导体衬底中的所述半导体台面的至少一个半导体台面之上的第一开口，同时使所述硬掩模部分的部分保留在所述半导体衬底之上。