[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201810940108.7 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110277116B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 东悠介;上牟田雄一;井野恒洋 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H10B51/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种根据一个实施例的半导体存储器装置包含：存储器胞元，所述存储器胞元包含铁电膜；和控制所述存储器胞元的控制电路。另外，所述控制电路判断写入处理或擦除处理在所述存储器胞元上的执行次数是否已达到一定次数；并且如果执行次数已达到所述一定次数，则执行将第一极性的第一电压和与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加到所述铁电膜的电压施加处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其包括：存储器胞元，其包含铁电膜；和控制电路，其控制所述存储器胞元，所述控制电路判断写入处理或擦除处理在所述存储器胞元上的执行次数是否已达到一定次数；并且如果所述执行次数已达到所述一定次数，则执行将第一极性的第一电压和与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加到所述铁电膜的电压施加处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810940108.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
