[发明专利]存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810940188.6 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110838496B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 邱建岚;郑俊民 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括一对叠层结构、电荷储存层以及通道层。一对叠层结构设置于基底上。每一叠层结构包括交替叠层于基底上的多个栅极层与多个绝缘层，且包括位于多个栅极层与多个绝缘层上的顶盖层。电荷储存层设置于一对叠层结构的彼此面对的侧壁上。通道层覆盖电荷储存层。通道层具有顶部、主体部与底部。顶部覆盖一对叠层结构的顶盖层的侧壁。底部覆盖基底的位于一对叠层结构之间的部分。主体部连接于顶部与底部之间。顶部与底部的掺质浓度分别高于主体部的掺质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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