[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 201810941699.X 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN110277408A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 山下徹也 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据实施例,一种半导体装置包含衬底、第一到第三导体及第一和第二接触件。所述第一导体设置在所述衬底上方的第一层中。所述第一接触件在第一方向上延伸,且设置于所述第一导体上。所述第二导体设置在所述第一层中且与所述第一导体绝缘。所述第三导体设置于所述第二导体与所述衬底之间。所述第二接触件在所述第一方向上延伸穿过所述第二导体,且经设置于所述第三导体上。如在第二方向上观察,所述第二接触件的宽度在包含于所述第一层中并平行于所述衬底的表面的边界面上方的部分与低于所述边界面的部分之间是不同的。
搜索关键词: 导体 接触件 衬底 半导体装置 第一层 导体绝缘 延伸穿过 平行 延伸 观察 制造
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:衬底,其包含核心区,和围绕所述核心区的外周边的周边区域;第一导体,其在所述衬底的所述核心区中位于所述衬底上方的第一层中;第一接触件,其在所述第一导体上,所述第一接触件在与所述衬底的表面相交的第一方向上延伸;第二导体,其在所述衬底的所述周边区域中位于所述第一层中且与所述第一导体绝缘;第三导体,其在所述第二导体与所述衬底之间;及第二接触件,其在所述第三导体上,所述第二接触件在所述第一方向上延伸穿过所述第二导体,其中如在平行于所述衬底的所述表面的第二方向上观察,所述第二接触件的宽度在包含于所述第一层中并平行于所述衬底的所述表面的边界面上方的部分与低于所述边界面的部分之间是不同的。
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