[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
申请号: | 201810941699.X | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN110277408A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 山下徹也 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据实施例,一种半导体装置包含衬底、第一到第三导体及第一和第二接触件。所述第一导体设置在所述衬底上方的第一层中。所述第一接触件在第一方向上延伸,且设置于所述第一导体上。所述第二导体设置在所述第一层中且与所述第一导体绝缘。所述第三导体设置于所述第二导体与所述衬底之间。所述第二接触件在所述第一方向上延伸穿过所述第二导体,且经设置于所述第三导体上。如在第二方向上观察,所述第二接触件的宽度在包含于所述第一层中并平行于所述衬底的表面的边界面上方的部分与低于所述边界面的部分之间是不同的。 | ||
搜索关键词: | 导体 接触件 衬底 半导体装置 第一层 导体绝缘 延伸穿过 平行 延伸 观察 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:衬底,其包含核心区,和围绕所述核心区的外周边的周边区域;第一导体,其在所述衬底的所述核心区中位于所述衬底上方的第一层中;第一接触件,其在所述第一导体上,所述第一接触件在与所述衬底的表面相交的第一方向上延伸;第二导体,其在所述衬底的所述周边区域中位于所述第一层中且与所述第一导体绝缘;第三导体,其在所述第二导体与所述衬底之间;及第二接触件,其在所述第三导体上,所述第二接触件在所述第一方向上延伸穿过所述第二导体,其中如在平行于所述衬底的所述表面的第二方向上观察,所述第二接触件的宽度在包含于所述第一层中并平行于所述衬底的所述表面的边界面上方的部分与低于所述边界面的部分之间是不同的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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