[发明专利]柔性半导体复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810941708.5 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109192670A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;林家杰;张师斌;伊艾伦;周鸿燕;王成立;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性半导体复合薄膜及制备方法，柔性半导体复合薄膜的制备包括：提供一异质复合结构，包括牺牲衬底以及位于牺牲衬底表面的异质薄膜，牺牲衬底具有一刻蚀面，牺牲衬底中形成有自刻蚀面向内延伸的凹槽结构，异质薄膜位于刻蚀面的表面；提供一柔性衬底，将柔性衬底与异质薄膜远离刻蚀面的一侧相结合；采用腐蚀工艺腐蚀牺牲衬底，实现异质薄膜与牺牲衬底的分离，得到柔性半导体复合薄膜。本发明的柔性半导体复合薄膜及制备，通过在牺牲衬底(如氧化层)中光刻凹槽结构，增加了后期腐蚀的速率，也保证制得柔性半导体薄膜的完整性；将离子注入剥离制备异质复合结构与化学腐蚀结合，使得该柔性单晶半导体薄膜的制备可以覆盖大部分半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 柔性半导体 制备 复合薄膜 异质薄膜 刻蚀 异质复合结构 凹槽结构 腐蚀 单晶半导体薄膜 衬底表面 化学腐蚀 氧化层 光刻 半导体 薄膜 离子 剥离 覆盖 延伸 保证 | ||
【主权项】：
1.一种柔性半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一异质复合结构，所述异质复合结构包括牺牲衬底以及位于所述牺牲衬底表面的异质薄膜，其中，所述牺牲衬底具有一刻蚀面，且所述牺牲衬底中形成有自所述刻蚀面向内延伸的凹槽结构，所述异质薄膜位于所述刻蚀面的表面；2)提供一柔性衬底，将所述柔性衬底与所述异质薄膜远离所述刻蚀面的一侧相结合；3)采用腐蚀工艺腐蚀所述牺牲衬底，以实现所述异质薄膜与所述牺牲衬底的分离，获得包括所述柔性衬底及所述异质薄膜的柔性半导体复合薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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