[发明专利]基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法

摘要

本发明公开了一种基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法。本发明通过参数扫描，可以分析环境温度变化、贮存时间增加、甚至辐射对电路系统功能及性能的影响；可以通过退化分析发现产品温度容差、贮存容差、辐射容差设计的薄弱环节；可以分析电路产品在不同环境温度下的电路性能退化情况，暴露电路设计过程中的可靠性薄弱环节；可以分析电路产品由于长时间工作或贮存导致输出性能退化的趋势，给出产品发生输出性能退化超差故障的时间；还能够为规避或消除辐射影响提供依据，给出相应的设计优化建议。

主权项

1.一种基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、以待分析的电路系统为对象，分别对各电子元器件进行行为级建模，得到电子元器件模型，并完成各电子元器件标称状态下的功能仿真验证；S2、以待分析的电路系统为对象，搭建目标电路系统，对其进行标称状态下的电路系统级仿真验证，得到标称状态下的仿真结果；S3、判断标称状态下的仿真结果是否符合制定要求，若是则进入步骤S4，否则返回步骤S1；S4、采集得到各电子元器件的性能退化参数；S5、将性能退化参数注入电子元器件模型，得到带有退化仿真功能的元器件；S6、对带有退化仿真功能的元器件进行参数扫描分析，得到带有退化仿真功能元器件的仿真结果；S7、当带有退化仿真功能元器件的仿真结果与建模目标一致，进入步骤S8，否则返回步骤S5；S8、重新建立电路网表，对电路系统进行参数扫描分析，得到退化情况下的仿真结果；S9、结合标称状态下的仿真结果和退化情况下的仿真结果得到原始电路设计上的薄弱环节和关键元器件可靠性分析结论。