[发明专利]一种9腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺在审
| 申请号： | 201810942765.5 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110835732A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 | 申请（专利权）人： | 中智（泰兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225400 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种9腔体卧式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统。能有效避免产品制备过程工序暴露于空气，提升晶体硅异质结太阳电池的性能，降低其生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卧式 hwcvd pvd 一体化 硅片 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
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