[发明专利]一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201810944474.X 申请日: 2018-08-19
公开(公告)号: CN109166961B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 黄文;何宇豪;郭俊雄;毛琳娜;李尚栋;龚天巡;刘志伟;林媛;俞滨 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L41/29 分类号: H01L41/29;B81C1/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版,可以同时进行大规模可控化制备,通过串并联结构设计,拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中,由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害,使图形化成品率差;而使用离子刻蚀的机器成本高昂,本发明通过改进PCB蓝膜工艺,最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
搜索关键词: 一种 pvdf 阵列 柔性 压电 传感器 图形 刻蚀 方法
【主权项】:
1.一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法,具体步骤如下:步骤一、图案绘制:对目标压电传感器的图案进行绘制;步骤二、制备保护膜:对面积大于所需图案的PCB蓝膜进行雕刻,得到与步骤1绘制的图案相对应的蓝膜保护膜;步骤三、定位粘贴,以及后续处理:将步骤二得到的PCB蓝膜保护膜的下层透明保护膜去除,然后将其粘贴在镀铝的PVDF上,粘贴后压紧避免气泡产生,以避免刻蚀液浸入保护膜内;再于40~50℃的热板上进行加热至完全贴合;步骤四、曝光:压紧并曝光镀铝PVDF上的蓝膜保护膜至其完全曝光,完全曝光的蓝膜应呈现深紫色,并紧密贴合在镀铝PVDF上;步骤五、刻蚀:在配置的铝刻蚀液中完全浸泡刻蚀,直至步骤四所得镀铝PVDF的未被蓝膜保护膜保护的无图案部分前后透明即可取出,然后在清水或去离子水中浸泡洗去多余酸液;步骤六、去蓝膜:揭下蓝膜的上层保护膜,在乙醇溶液中进行浸泡,直至溶解所有蓝膜,再用清水清洗并晾干;步骤七、电极、引线制备;在步骤六制备的镀铝PVDF上进行电极和引线的制备。
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