[发明专利]一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器

摘要

一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，包括有铟砷化镓基底层，铟砷化镓基底层上端面的一端设置有金金属漏极，另一端设置有金金属源极，在金属漏极和金属源极之间且位于铟砷化镓基底层上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层、作为第一层势垒的铝化砷层、作为半导体量子阱的铟砷化镓层、作为第二层势垒的铝化砷层和作为吸光材料的N型铟砷化镓层，其中，铟砷化镓层、铝化砷层和N型铟砷化镓层两端与所对应的金属漏极和金属源极之间分别形成有氧化绝缘层，N型铟砷化镓层的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层。本发明结构简单、对光波长敏感、制备工艺简单的太赫兹半导体量子阱振荡器件，能够满足改变光波长来控制输出振荡频率的需要。

主权项

1.一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，包括有铟砷化镓基底层(1)，所述铟砷化镓基底层(1)上端面的一端设置有金金属漏极(2)，另一端设置有金金属源极(3)，在所述的金属漏极(2)和金属源极(3)之间且位于所述铟砷化镓基底层(1)上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层(4)、作为第一层势垒的铝化砷层(5)、作为半导体量子阱的铟砷化镓层(6)、作为第二层势垒的铝化砷层(7)和作为吸光材料的N型铟砷化镓层(8)，其中，所述铟砷化镓层(6)、铝化砷层(7)和N型铟砷化镓层(8)两端与所对应的金属漏极(2)和金属源极(3)之间分别形成有氧化绝缘层(10)，所述N型铟砷化镓层(8)的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层(9)。