[发明专利]一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201810945840.3 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109300974B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，制备方法包括：在衬底上生长成核层材料，形成成核层；在成核层上以第一条件生长GaN，形成非极性缓冲层；在非极性缓冲层上以第二条件生长GaN，形成非极性沟道层；在非极性沟道层上生长InAlN，形成非极性势垒层；在非极性沟道层和非极性势垒层内制作源极和漏极，在非极性势垒层上制作栅极，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明实施例的非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法形成了非极性沟道层和非极性势垒层，从而形成非极性异质结构，非极性异质结构能够对自发极化及压电极化进行调制，从而抑制沟道内高密度极化电荷的产生，实现增强型效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 inaln gan 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在衬底(101)上生长成核层材料，形成成核层(102)；S2、在所述成核层(102)上以第一条件生长GaN，形成非极性缓冲层(103)；S3、在所述非极性缓冲层(103)上以第二条件生长GaN，形成非极性沟道层(104)；S4、在所述非极性沟道层(104)上生长InAlN，形成非极性势垒层(105)；S5、在所述非极性沟道层(104)和所述非极性势垒层(105)内制作源极(106)和漏极(107)，在所述非极性势垒层(105)上制作栅极(108)，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。
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