[发明专利]一种半导体元件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810947246.8 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110634841A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王茂盈;黄沛霖 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其形成方法。该半导体元件包括一第一晶粒及一导电层。该第一晶粒经配置以在一方向上与该半导体元件外部的一第二晶粒接合。该导电层在该方向上位于该第一晶粒及该第二晶粒之间，经配置以实现一参考接地。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 半导体元件 导电层 参考接地 晶粒接合 配置 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：/n一第一晶粒，经配置以在一方向上与该半导体元件外部的一第二晶粒接合；以及/n一导电层，设置在该方向上且位于该第一晶粒和该第二晶粒之间，经配置以实现一参考接地。/n
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