[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810947256.1 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110854194A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部；形成横跨鳍部的金属栅结构，金属栅结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；沿鳍部的延伸方向，在相邻鳍部之间的衬底上形成隔离栅结构，隔离栅结构的材料为电介质材料。本发明在相邻鳍部之间的衬底上形成隔离栅结构，且隔离栅结构的材料为电介质材料；在半导体工艺中，隔离栅结构通常与横跨鳍部的金属栅结构在同一工艺步骤中形成，即隔离栅结构的材料通常包括金属材料，本发明通过选取电介质材料作为隔离栅结构的材料，使隔离栅结构具备绝缘特性，避免隔离栅结构与相邻鳍部发生电性连接，从而有利于提高隔离栅结构的击穿电压，进而改善器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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