[发明专利]存储器单元阵列有效
| 申请号： | 201810948208.4 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN109273444B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 卡迈勒·M·考尔道;钱德拉·穆利;古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B53/20 | 分类号： | H10B53/20;H10B43/35;H10B43/20;H10B43/27;H10B51/00;H10B51/20;H10B51/30;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/ |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种存储器单元阵列，其中个别所述存储器单元包括包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元阵列，个别所述存储器单元包括垂直铁电场效晶体管构造，所述垂直场效晶体管包括：隔离芯；过渡金属二硫属化物材料，其围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度；铁电栅极电介质材料，其围绕所述过渡金属二硫属化物材料；导电栅极材料，其围绕所述铁电栅极电介质材料，所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸；及导电接触件，其直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。
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