[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201810948985.9 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109143700B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李培宏;宋江江 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板包括TFT阵列层、设置在TFT阵列层上的彩色滤光层和设置在彩色滤光层上的钝化层，彩色滤光层包括蓝色子像素，钝化层包括覆盖彩色滤光层的钝化层本体和凸设在钝化层本体上的凸部，本发明通过在彩色滤光层的蓝色子像素的两侧区域形成钝化层的凸部，增加了蓝色子像素两侧区域的光阻，使得钝化层厚度均匀化，进而减少色度差异。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：TFT阵列层，彩色滤光层，设置在所述TFT阵列层上，包括多个色阻单元，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，且对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度；钝化层，设置在所述彩色滤光层上，包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和凸设在所述钝化层本体上的凸部；以及像素电极层，设置在所述钝化层上；其中所述凸部对应设置在所述蓝色子像素两侧区域的上方。
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