[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810949620.8 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109411581A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、浅量子阱层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述浅量子阱层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述浅量子阱层包括多个浅阱层和多个浅垒层，所述多个浅阱层和所述多个浅垒层交替层叠设置；所述浅阱层为未掺杂的氮化铟镓层，所述浅垒层包括未掺杂的氮化镓层以及插入在所述氮化镓层中的至少一个未掺杂的氮化铝铟层。本发明使浅量子阱层作为N区一侧的电子阻挡层，与P区一侧设置的电子阻挡层搭配，有效避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合。 | ||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 量子阱层 发光二极管外延 未掺杂 垒层 浅阱 氮化镓层 衬底 源层 半导体技术领域 空穴 氮化铝铟层 氮化铟镓层 非辐射复合 电子跃迁 交替层叠 依次层叠 制造 搭配 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、浅量子阱层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述浅量子阱层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述浅量子阱层包括多个浅阱层和多个浅垒层，所述多个浅阱层和所述多个浅垒层交替层叠设置；所述浅阱层为未掺杂的氮化铟镓层，其特征在于，所述浅垒层包括未掺杂的氮化镓层以及插入在所述氮化镓层中的至少一个未掺杂的氮化铝铟层。
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