[发明专利]一种基于LPE法生产SiC的工艺在审
| 申请号： | 201810950315.0 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN108977885A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 孙月静 | 申请（专利权）人： | 孙月静 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/02 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于LPE法生产SiC的工艺，包括以下步骤：S1、首先硅和碳的单质在2000℃‑2500℃的惰性气体中加热，使得硅和碳的单质溶解在碱金属熔剂中；S2、溶解后的硅和碳的单质在碱金属熔剂发生化学反应，形成碳化硅单晶。该工艺操作简单，大大降低了SiC的生产成本，可以以低成本生产大的块状碳化硅单晶，大大提高了SiC的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 单质 碱金属 碳化硅单晶 熔剂 溶解 化学反应 低成本生产 惰性气体 工艺操作 加热 生产成本 生产 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于LPE法生产SiC的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、首先硅和碳的单质在2000℃‑2500℃的惰性气体中加热，使得硅和碳的单质溶解在碱金属熔剂中；S2、溶解后的硅和碳的单质在碱金属熔剂发生化学反应，形成碳化硅单晶。
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