[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201810952305.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109427790B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 郑洛教;梁雪云;赵龙来;洪熙范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在存储晶体管上并包括第一互连线；以及第二互连层，在第一互连层上并包括第二互连线。第一区域上的第二互连线包括第一线和第二线，第一线沿第一方向延伸并沿第一方向与第二区域间隔开第一距离，第二线沿第一方向延伸、沿交叉第一方向的第二方向与第一线间隔开并具有比第一线的宽度小的宽度。第一线包括沿第三方向朝向基板延伸的突起。突起沿第一方向与第二区域间隔开大于第一距离的第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板，包括第一区域和第二区域；在所述第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在所述存储晶体管上并且具有第一互连线；以及第二互连层，在所述第一互连层上并且具有第二互连线，其中所述第一区域上的所述第二互连线包括：第一线，沿第一方向延伸并且沿所述第一方向与所述第二区域间隔开第一距离，以及第二线，沿所述第一方向延伸，沿交叉所述第一方向的第二方向与所述第一线间隔开，并且具有沿所述第二方向的比所述第一线的宽度小的宽度，其中所述第一线包括突起，所述突起沿交叉所述第一方向和所述第二方向的第三方向朝向所述基板延伸，其中所述突起沿所述第一方向与所述第二区域间隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。
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