[发明专利]一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810952687.7 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109103239B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;仝宜波;李涛;朱顺威;胡梅;赵玥阳;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安中科汇知识产权代理有限公司 61254 | 代理人： | 韩冰 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有栅下局部低掺杂的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面设有源电极，漏极帽层表面设有漏电极，所述N型沟道层沟道底部且靠近源极帽层的一侧设有栅电极，在N型沟道层底部且位于栅电极下方设有与栅电极中心对称的低掺杂层，栅电极的底部与低掺杂层上端紧密接触。与现有技术相比，本发明的场效应晶体管击穿电压得到提高，从而提高器件输出功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 局部 掺杂 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有栅下局部低掺杂的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧表面设有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，源极帽层(4)和漏极帽层(5)表面设有源电极(6)，漏极帽层(5)表面设有漏电极(7)，其特征在于：所述N型沟道层(3)沟道底部且靠近源极帽层(4)的一侧设有栅电极(8)，在N型沟道层(3)底部且位于栅电极(8)下方设有与栅电极(8)中心对称的低掺杂层(9)，栅电极(8)的下表面与低掺杂层(9)上表面紧密接触。
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