[发明专利]电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 201810953136.2 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109473542A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 林钟久;郑求烈;李哉衡;金正明;李泰荣 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李琳;王建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电子设备可以包括半导体存储器，而半导体存储器可以包括：可变电阻元件，其包括磁隧道结MTJ结构，磁隧道结MTJ结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的被钉扎层以及介于自由层与被钉扎层之间的隧道阻挡层；第一保护层，其设置在可变电阻元件的下侧壁上；以及第二保护层，其设置在可变电阻元件的上侧壁上，其中，第一保护层和第二保护层中的任意一个层可以向可变电阻元件施加压缩应力，而另一个层向可变电阻元件施加拉伸应力。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电阻元件 半导体存储器 第二保护层 第一保护层 被钉扎层 磁隧道结 电子设备 自由层 施加 固定磁化方向 可变磁化方向 隧道阻挡层 拉伸应力 压缩应力 上侧壁 下侧壁 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：可变电阻元件，其包括磁隧道结MTJ结构，所述磁隧道结MTJ结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的被钉扎层以及介于所述自由层与所述被钉扎层之间的隧道阻挡层；第一保护层，其设置在所述可变电阻元件的下侧壁上；第二保护层，其设置在所述可变电阻元件的上侧壁上，其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的任意一个层向所述可变电阻元件施加压缩应力，而另一个层向所述可变电阻元件施加拉伸应力。
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