[发明专利]增强近红外量子效率的钳位型光电二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种增强近红外量子效率的钳位型光电二极管及其制备方法，包括：步骤1，在P型外延层围绕有源区边缘制备浅槽隔离区；步骤2，向P型外延层中分四次注入P型材料形成P阱隔离区；步骤3，退火；步骤4，在P型外延层的上表面形成多晶硅栅，并对多晶硅栅进行刻蚀，得到传输栅；步骤5，在P型外延层中分两次注入N型材料形成N型掺杂区；步骤6，在传输栅侧壁制备侧墙；步骤7，在N型掺杂区中制备钳位层；步骤8，在P阱隔离区上部注入N型材料形成悬浮扩散节点；步骤9，第二次退火处理。本发明提高量子效率，防止光电二极管的光生点在泄漏至悬浮扩散节点中。

主权项

1.一种增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在P型外延层(2)围绕有源区边缘制备浅槽隔离区(7)；步骤2，向P型外延层(2)中分四次注入P型材料形成P阱隔离区(3)；步骤3，第一次退火处理；步骤4，在P型外延层(2)的上表面形成多晶硅栅，并对多晶硅栅进行刻蚀，得到传输栅(5)；步骤5，在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(8)；步骤6，在传输栅侧壁制备侧墙(9)；步骤7，在N型掺杂区(8)中制备钳位层(6)；步骤8，在P阱隔离区(3)上部注入N型材料形成悬浮扩散节点(4)；步骤9，第二次退火处理。