[发明专利]用于铜互连件的种晶层在审
| 申请号： | 201810960756.9 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109461698A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴智远;濛·初·曾;梅休尔·B·内克;本-李·休厄 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述用于形成具有改进的抗迁移性质的铜种晶层的方法。在一个实施方式中，一种方法包括：在特征中形成第一铜层；在特征中的第一铜层上形成钌层，和在特征中的钌层上形成第二铜层。钌层实质上将在其下方的铜层锁定在特征中的适当位置中，从而防止其大量的物理迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 铜层 钌层 种晶层 迁移性质 实质上将 适当位置 物理迁移 铜互连 锁定 改进 | ||
【主权项】：
1.一种形成互连结构的方法，包括：将基板定位在第一处理腔室中，所述基板包括图案化表面，所述图案化表面具有形成在其材料层中的开口；和在所述开口的壁上形成种晶层，包括：在所述开口的所述壁上形成第一铜层；在所述第一铜层上形成钌层；和在所述钌层上形成第二铜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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