[发明专利]埋入式芯片及其制造方法在审
申请号: | 201810962084.5 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN110858548A | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 谷新 | 申请(专利权)人: | 深南电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种埋入式芯片及其制造方法。该制造方法包括:提供一金属基底;在金属基底上设置有金属层,其中,金属层内形成多个凹槽;将芯片放置在金属基底上,并位于凹槽中,芯片包括远离金属基底的第一芯片表面,在第一芯片表面上设置有连接端子;在芯片的第一芯片表面上设置介质层;将芯片的连接端子扇出。本申请通过将芯片设置在金属基底和金属层的凹槽中,使得芯片的多个面被金属材质包围,例如芯片包括六个面,则其五个面,包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围,由于金属的散热性良好,因此可对埋入的芯片进行有效的散热,提高了芯片的散热能力,适用于各种芯片的散热需求。 | ||
搜索关键词: | 埋入 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造