[发明专利]埋入式芯片及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810962084.5 申请日: 2018-08-22
公开(公告)号: CN110858548A 公开(公告)日: 2020-03-03
发明(设计)人: 谷新 申请(专利权)人: 深南电路股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 518000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种埋入式芯片及其制造方法。该制造方法包括:提供一金属基底;在金属基底上设置有金属层,其中,金属层内形成多个凹槽;将芯片放置在金属基底上,并位于凹槽中,芯片包括远离金属基底的第一芯片表面,在第一芯片表面上设置有连接端子;在芯片的第一芯片表面上设置介质层;将芯片的连接端子扇出。本申请通过将芯片设置在金属基底和金属层的凹槽中,使得芯片的多个面被金属材质包围,例如芯片包括六个面,则其五个面,包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围,由于金属的散热性良好,因此可对埋入的芯片进行有效的散热,提高了芯片的散热能力,适用于各种芯片的散热需求。
搜索关键词: 埋入 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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