[发明专利]金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法在审
申请号: | 201810963084.7 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN108760781A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 郭建超;蔚翠;冯志红;刘艳青;房玉龙;何泽召;刘庆彬;周闯杰;高学栋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | G01N23/20008 | 分类号: | G01N23/20008;G01N23/203 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 050051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法,该方法包括:将金刚石样品进行抛光处理;将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。本发明通过对金刚石样品抛光处理,使金刚石样品表面平整,通过对金刚石样品进行氢等离子体处理,能够降低金刚石表面残余应力,并能形成稳定的导电性氢终端,从而制备出表面平整、残余应力低、导电性良好的金刚石电子背散射衍射分析样品,能够满足电子背散射衍射分析的需求。 | ||
搜索关键词: | 金刚石样品 电子背散射衍射 分析样品 抛光处理 金刚石 制备 氢等离子体处理 导电性 表面平整 残余应力 半导体技术领域 金刚石表面 氢终端 分析 | ||
【主权项】:
1.一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法,其特征在于,包括:将金刚石样品进行抛光处理;将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。
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