[发明专利]形成图像传感器的方法及图像传感器在审
| 申请号： | 201810964887.4 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109103210A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 周艮梅;金子贵昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中于光电二极管周围形成沟槽；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的覆盖层，所述覆盖层具有P型掺杂剂，并且所述覆盖层中的P型掺杂剂的浓度高于位于所述覆盖层周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述覆盖层不填满所述沟槽；以及使得所述覆盖层中的所述P型掺杂剂向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的P型扩散区。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够减小图像传感器的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖层 图像传感器 衬底 半导体 侧壁 底壁 光电二极管 暗电流 减小 填满 覆盖 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中于光电二极管周围形成沟槽；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的覆盖层，所述覆盖层具有P型掺杂剂，并且所述覆盖层中的P型掺杂剂的浓度高于位于所述覆盖层周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述覆盖层不填满所述沟槽；以及使得所述覆盖层中的所述P型掺杂剂向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的P型扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
