[发明专利]一种报废光刻掩膜版的回收处理方法在审
申请号: | 201810964946.8 | 申请日: | 2018-08-23 |
公开(公告)号: | CN109031883A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 王峰 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞而美光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;丁浩秋 |
地址: | 215221 江苏省苏州市吴江区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种报废光刻掩膜版的回收处理方法,包括:将报废光刻掩膜版表层的铬金属层用酸性腐蚀液腐蚀掉,得到膜版基底;用去离子水冲洗膜版基底表面;对膜版基底的双面表层进行衬底级的CMP化学抛光;将抛光后检验合格的膜版基底做镀铬前预清洗,先用酸洗,再用去离子水冲洗,然后用碱洗,再用去离子水冲洗,酸碱清洗重复多次;在膜版基底表面镀一定厚度的铬层,制作新的光刻掩膜版。通过对报废膜版基底的优化处理,从而使报废的膜版得到再次利用,不仅解决了行业资源的浪费,而且还变相的降低了生产成本。可以大大提高光刻版的反复利用次数,工艺简单,适合大规模批量生产。 | ||
搜索关键词: | 膜版 光刻掩膜版 报废 去离子水 基底 冲洗 回收处理 基底表面 酸性腐蚀液 反复利用 铬金属层 化学抛光 行业资源 优化处理 再次利用 光刻版 基底做 预清洗 抛光 衬底 镀铬 铬层 碱洗 酸碱 酸洗 生产成本 清洗 腐蚀 重复 检验 制作 生产 | ||
【主权项】:
1.一种报废光刻掩膜版的回收处理方法,其特征在于,包括以下步骤:S01:将报废光刻掩膜版表层的铬金属层用酸性腐蚀液腐蚀掉,得到膜版基底;S02:用去离子水冲洗膜版基底表面;S03:对膜版基底的双面表层进行衬底级的CMP化学抛光;S04:将抛光后检验合格的膜版基底做镀铬前预清洗,先用酸洗,再用去离子水冲洗,然后用碱洗,再用去离子水冲洗,酸碱清洗重复多次;S05:在膜版基底表面镀一定厚度的铬层,制作新的光刻掩膜版。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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