[发明专利]一种光学元件微纳阵列结构的制备方法在审
| 申请号： | 201810965172.0 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109188577A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;刘娟;李开宇;吕学良;曹振博;洪升;郑京明 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学元件微结构领域，尤其涉及一种光学元件微纳阵列结构的制备方法。所述方法包括以下步骤：1)在基底表面上设置膜层；2)通过物理方法和/或化学方法除去部分膜层，使剩余的膜层在所述基底表面上呈周期阵列结构；3)微纳阵列结构制备：A、在所述带有周期阵列结构膜层的基底表面沉积一层基体材料；B、通过物理方法和/或化学方法将基底表面的周期阵列结构膜层去除；所述的基体材料在所述基底表面上形成一种微纳阵列结构；所述的微纳阵列结构与所述的周期阵列结构互补。所述方法避免了现有工艺中的刻蚀步骤，获得的微纳阵列结构形状规则，工艺简单，具有广阔的市场前景和经济价值。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列结构 基底表面 膜层 周期阵列结构 光学元件 制备 基体材料 刻蚀步骤 形状规则 微结构 沉积 去除 | ||
【主权项】：
1.一种光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)在基底表面上设置膜层；2)通过物理方法和/或化学方法除去部分膜层，使剩余的膜层在所述基底表面上呈周期阵列结构；3)微纳阵列结构制备：A、在所述带有周期阵列结构膜层的基底表面沉积一层基体材料；B、通过物理方法和/或化学方法将基底表面的周期阵列结构膜层去除；所述的基体材料在所述基底表面上形成一种微纳阵列结构；所述的微纳阵列结构与所述的周期阵列结构互补。
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