[发明专利]一种功率器件终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810966199.1 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109103248A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率器件终端结构及其制备方法，所述终端结构包括：主结区域和场限环耐压区，在主结区域的主结增加一个主结补偿注入区，在场限环耐压区的场限环增加偏移结，并且主结和场限环采用分次驱入形成，通过在主结位置引入补偿注入区，可以对主结浓度进行极大的补偿，实现更高的耐压及更高的可靠性，在单个场限环内引入P+偏移结，进一步提升器件耐压，同时，将补偿注入区与环区第二次驱入同时驱入，实现阶梯状的主结形貌，可以更好的对有源区扩展过来的耗尽层进行扩展，可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 主结 场限环 终端结构 注入区 功率器件 耐压区 偏移结 耐压 制备 形貌 提升器件 耗尽层 阶梯状 引入 环区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件终端结构，其特征在于，包括主结区域和场限环耐压区，所述主结区域包括注入形成于第一导电类型外延层的第二导电类型的主结、形成于所述主结内且一端超出所述主结的补偿注入区以及形成于所述主结内位于所述补偿注入区之上的体区，所述场限环耐压区包括注入形成于所述外延层的至少一个第二导电类型的场限环以及形成于所述场限环内远离所述有源区一侧的偏移结，所述终端结构还包括形成于所述外延层、主结以及场限环上表面的环区表面氧化层以及栅极氧化层，所述环区表面氧化层形成且覆盖于所述主结以及所述场限环的两端，以及形成于所述环区表面氧化层以及栅极氧化层上表面的多晶硅栅极、多晶硅栅极走线以及多晶硅场板。
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