[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810970565.0 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109585425B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 许真吟;吴春立;高境鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及一种半导体结构中单位面积电容增加的MIM双电容器结构。在不使用额外的掩模层的情况下，可以在第一平行板电容器上方形成第二平行板电容器，并且两个电容器共享公共电容器极板。可以并联连接两个平行板电容器以增加每单位面积的电容。本发明的实施例还提供了半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底；第一金属层，形成在所述衬底上方；第一介电层，形成在所述第一金属层上方；第二金属层，形成在所述第一介电层上方，其中，所述第二金属层的表面积小于所述第一金属层的表面积；第二介电层，形成在所述第二金属层上方；第三金属层，形成在所述第二介电层上方，其中，所述第三金属层的表面积小于所述第二金属层的表面积；以及一个或多个互连结构，电连接至所述第一金属层和所述第三金属层。
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