[发明专利]包括电容器的半导体器件在审
| 申请号： | 201810971335.6 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN110034099A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 姜相列;曹圭镐;林汉镇;黄澈盛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 半导体器件 绝缘图案 开关元件 隔离层 焊盘 电容器 电容器电介质 导电焊盘 电极 侧表面 单晶 多晶 电连接 下电极 基板 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：开关元件，在基板上；焊盘隔离层，在所述开关元件上；导电焊盘，配置为穿过所述焊盘隔离层并电连接到所述开关元件；绝缘图案，在所述焊盘隔离层上并配置为具有比水平宽度大的高度；下电极，在所述绝缘图案的侧表面上并与所述导电焊盘接触；电容器电介质层，在所述下电极上并包括单晶电介质层和多晶电介质层，所述单晶电介质层与所述多晶电介质层相比相对靠近所述绝缘图案的侧表面；以及上电极，在所述电容器电介质层上。
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