[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201810971354.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109103190B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 吕相林;杨永刚;张静平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；形成贯穿堆叠结构的沟道孔；在沟道孔的内壁表面形成一材料层，材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大；对材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除沟道孔底部的材料层而保留所述沟道孔侧壁表面部分厚度的材料层，湿法刻蚀包括：依次进行的化学液浸泡阶段和冲洗阶段；其中，化学液浸泡阶段包括：将形成有材料层的衬底浸泡于刻蚀溶液中；冲洗阶段包括：将形成有材料层的衬底从刻蚀溶液中取出，浸泡于去离子水中，使沟道孔内的刻蚀溶液浓度自沟道孔底部向顶部方向逐渐降低。所述半导体结构在后续工艺中能够保护沟道孔侧壁不受损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层，所述材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大；对所述材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除所述沟道孔底部的材料层而保留所述沟道孔侧壁表面部分厚度的材料层，所述湿法刻蚀包括：依次进行的化学液浸泡阶段和冲洗阶段；其中，所述化学液浸泡阶段包括：将形成有材料层的衬底浸泡于刻蚀溶液中；所述冲洗阶段包括：将形成有材料层的衬底从刻蚀溶液中取出，浸泡于去离子水中，使所述沟道孔内的刻蚀溶液浓度自沟道孔底部向顶部方向逐渐降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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