[发明专利]一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法有效
申请号: | 201810973158.5 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109042208B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 佀国涵;袁家富;赵书军;彭成林;苏兆俊;徐大兵;孟贵星;刘岱松;周玮婧;樊军 | 申请(专利权)人: | 湖北省农业科学院植保土肥研究所 |
主分类号: | A01G22/45 | 分类号: | A01G22/45;A01G25/00;A01G13/02;A01B79/00;A01C21/00;A01M29/08 |
代理公司: | 宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 42226 | 代理人: | 彭娅 |
地址: | 430064 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法,包括整地、施肥、起垄、覆膜、移栽,本发明在长期试验及示范的基础上,建立了一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法,此栽培方法加速了伸根期烟株根系早生快发,促进了根系生长和烟株生长的协调一致,增强了烟株抵御干旱能力,提高了烤烟的质量和等级结构,具有较高的推广价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 促进 烤烟 生长 前期 根系 发育 栽培 方法 | ||
【主权项】:
1.一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法,其步骤为:A、整地:前茬作物收获后,对土壤进行深翻,深翻深度为25~30cm,翻耕后旋耕细耙,做到土垡细碎;B、开沟施肥:于整地完毕的烟田,按照110~120cm距离开挖施肥沟,施肥沟深度为5~10cm,以保证烟苗根系在肥料层上2~4cm处,然后条施1500~3000kg/hm2有机肥以及根据当地施肥习惯施用相应量的烟草专用肥;C、起垄:以施肥沟为中心进行起垄,平地要求垄高30~35cm,垄底宽60~70cm,垄面宽25~30cm;小于15°坡地要求垄高25~30cm,垄底宽55~65cm,垄面宽30~35cm,所述垄体均要求匀直、饱满;D、覆膜:当垄体土壤含水量达田间持水量的55%~70%时覆膜;地膜采用黑白相间膜,黑色面朝下,白色面朝上,地膜宽度90~100cm,厚度0.008cm;E、移栽:选择有5~6片真叶,茎高4~6cm,均匀整齐,叶色黄绿色,茎杆韧性强,根系发达,无病虫害侵染的烟苗进行移栽;移栽前按50~55cm的株距打穴,穴直径10~12cm,深15~18cm,烟苗自然高度的顶部距穴口3~5cm;烟苗四周再施入营养土,每株烟苗浇1~2kg定根水,喷施一次杀虫剂;F、填土、封膜:当烟苗生长点高出垄面2~3cm时,用细土将移栽穴填满,并将膜口用土密封;之后进入常规管理。
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