[发明专利]一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻有效
| 申请号： | 201810978419.2 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109166690B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;陈敏;杜伟;苏桦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F41/18;H01L43/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，属于磁性材料与元器件技术领域。所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，n≥2。本发明提供的各向异性磁电阻在控制磁性层总厚度的情况下，将每层铁磁层减薄到100nm以下，可在反铁磁层/铁磁层/反铁磁层中获得交换偏置场，进而提升整体薄膜的各向异性场，从而实现对基于各向异性磁电阻效应的传感器磁场探测区间的拓展。并且，由于交换偏置场的大小与铁磁层的厚度呈反比，因而可以在控制铁磁层总厚度的情况下，通过调整重复周期n，获得不同的交换偏置场和各向异性场，方便的实现不同磁场探测区间的获得。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 交换 偏置 结构 各向异性 磁电 | ||
【主权项】：
1.一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，其中，n≥2。
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