[发明专利]集成电路(IC)及其形成方法有效
| 申请号： | 201810978755.7 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109524386B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 林孟汉;谢智仁;高雅真;刘振钦;黄志斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例针对包括具有单元型顶部布局的浮置栅极测试器件的集成电路(IC)，以及用于形成IC的方法。在一些实施例中，IC包括半导体衬底和浮置栅极测试器件。浮置栅极测试器件位于半导体衬底上，并且包括浮置栅电极和位于浮置栅电极上面的控制栅电极。浮置栅电极和控制栅电极部分地限定了岛部的阵列，并且进一步部分地限定了互连岛部的多个桥部。岛部和桥部限定了单元型顶部布局，并且可以例如防止对浮置栅极测试器件的工艺引起的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 ic 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路(IC)的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成浮置栅极测试器件结构，其中，所述浮置栅极测试器件结构包括第一浮置栅电极和位于所述第一浮置栅电极上面的第一控制栅电极，其中，所述第一浮置栅电极和所述第一控制栅电极部分地限定岛部的阵列，并且还部分地限定互连所述岛部的多个桥部；在所述半导体衬底上形成存储单元结构，其中，所述存储单元结构包括第二浮置栅电极和位于所述第二浮置栅电极上面的第二控制栅电极；以及沉积覆盖所述浮置栅极测试器件结构和所述存储单元结构的回蚀层，其中，所述回蚀层在所述第一控制栅电极正上方具有第一厚度并且在所述第二控制栅电极正上方具有第二厚度，并且，所述第一厚度和所述第二厚度相同或基本相同。
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