[发明专利]半导体器件和方法

摘要

本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：在第一介电层上沉积导电层；蚀刻所述导电层以在所述第一介电层上形成导电屏蔽件，所述导电屏蔽件包括开口和在所述开口与所述导电屏蔽件的外围之间延伸的第一通道区域；在所述导电屏蔽件上形成第二介电层；在所述第二介电层上形成线圈；将集成电路管芯放置在所述第二介电层上，所述集成电路管芯设置在所述线圈的外部；用密封剂密封所述线圈和所述集成电路管芯；以及在所述线圈、所述集成电路管芯和所述密封剂上形成再分布结构。