[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810980685.9 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109860386B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 林世杰;于淳;威廉·J·加拉格尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了磁阻式随机存取存储器及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件和顶电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，从而暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露顶电极。在与顶电极接触的开口中形成导电层。第二绝缘覆盖层具有吸氧特性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构，所述磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构包括底电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件和顶电极；在所述磁阻式随机存取存储器单元结构上方形成第一绝缘覆盖层；在所述第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层；形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层中形成接触开口，从而暴露所述第二绝缘覆盖层；去除所述第二绝缘覆盖层的部分和所述第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露所述顶电极；以及在与所述顶电极接触的所述开口中形成导电层，其中，所述第二绝缘覆盖层具有吸氧特性。
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