[发明专利]用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201810981692.0 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109166842B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构及测试方法，测试结构包括：第一测试晶体管，第一测试晶体管中，第一背栅极分别与第一源级和第一漏极连接；与第一栅极连接的第一量测模块；第二测试晶体管，第二测试晶体管中，第二背栅极分别与第二源级和第二漏极连接，第二背栅极和第一背栅极连接；与第二栅极连接的第二量测模块，第二量测模块和第一量测模块适于给第一测试晶体管和第二测试晶体管进行恒流加压，恒流加压时，第一测试晶体管和第二测试晶体管所处的电性状态的极性不同；分别与第二背栅极和第一背栅极连接的第三量测模块。所述测试结构提高了评估栅氧层TDDB性能的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 评估 栅氧层 tddb 极性 差异 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构，其特征在于，包括：第一测试晶体管，第一测试晶体管具有第一源级、第一漏极、第一栅极和第一背栅极，第一背栅极分别与第一源级和第一漏极连接；与第一栅极连接的第一量测模块；第二测试晶体管，第二测试晶体管和第一测试晶体管是两个完全相同的晶体管，第二测试晶体管具有第二源级、第二漏极、第二栅极和第二背栅极，第二背栅极分别与第二源级和第二漏极连接，第二背栅极和第一背栅极连接；与第二栅极连接的第二量测模块，第二量测模块和第一量测模块适于给第一测试晶体管和第二测试晶体管进行恒流加压，第二量测模块和第一量测模块恒流加压时，第一测试晶体管和第二测试晶体管所处的电性状态的极性不同；分别与第二背栅极和第一背栅极连接的第三量测模块，第三量测模块适于和第一量测模块一起检测第一测试晶体管中的栅氧层的漏电情况，第三量测模块适于和第二量测模块一起检测第二测试晶体管中的栅氧层的漏电情况。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810981692.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
