[发明专利]磁场辅助紫外光氧化实现石墨烯薄膜图案化方法及其装置在审
| 申请号： | 201810981805.7 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110862083A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陶海华;苏树彬;黎浩;陈险峰;钱冬 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种磁场辅助紫外光氧化实现石墨烯薄膜图案化方法，包括如下步骤：步骤1：在紫外光氧化真空设备的样品架(8)上放置磁场发生装置，将紫外光氧化真空设备的磁场调至到预设磁场；所述预设磁场为反应腔室内的磁场、反应腔室内的磁场梯度方向均垂直于样品架(8)；步骤2：将表面放置有掩模版(14)的样品(13)置于样品架(8)上，调整样品架(8)与光源(6)的距离至预设距离；步骤3：将反应腔室(1)内的空气排出。本发明利用磁场辅助紫外光氧化方法，以水分子为氧化源，通过在样品表面施加竖直方向的非均匀磁场，控制紫外光生顺磁性OH(X |
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| 搜索关键词： | 磁场 辅助 紫外 光氧化 实现 石墨 薄膜 图案 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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