[发明专利]一种三氯氢硅生产方法及其应用有效
| 申请号： | 201810983500.X | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109052410B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王体虎;宗冰;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业(青海)有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨志廷 |
| 地址： | 810000 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及多晶硅制备技术领域，公开了一种三氯氢硅生产方法及其应用。在三氯氢硅生产方法中，采用两级气固分离。第一气固分离步骤能够将细硅粉排出至四氯化硅低温氢化炉外，第二气固分离步骤将排出氢化炉外的细硅粉作为三氯氢硅合成步骤的原料，解决了传统工艺中细硅粉被浪费的问题，可以实现硅粉的高度利用。这样，即可以保持低温氢化反应中四氯化硅的高转化率，也可以保证硅粉的利用率，同时还可以降低尾气中的硅粉含量，进而可以减缓最终尾气分离回收时的处理压力，能够避免管道结垢和堵塞问题。本发明实施例中的三氯氢硅生产方法能够应用于多晶硅的生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅生产 气固分离 硅粉 细硅 低温氢化 四氯化硅 排出 尾气 应用 多晶硅制备 处理压力 传统工艺 分离回收 高转化率 管道结垢 合成步骤 三氯氢硅 多晶硅 氢化炉 两级 堵塞 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种三氯氢硅生产方法，其特征在于，其包括：/n第一气固分离步骤，对四氯化硅低温氢化生成的第一尾气进行气固分离，得到第一硅粉和第二尾气，所述第一硅粉继续作为所述四氯化硅低温氢化的原料进行反应,所述第一硅粉的粒径大于150微米；/n三氯氢硅合成步骤，利用硅粉和氯化氢作为原料进行三氯氢硅氯化合成；/n第二气固分离步骤，对所述第二尾气进行气固分离，得到第二硅粉和第三尾气，所述第二硅粉作为所述三氯氢硅合成步骤的原料，所述第二硅粉的粒径不大于150微米；/n尾气换热步骤，利用所述第二尾气对作为所述四氯化硅低温氢化的原料的四氯化硅进行预热，所述第二尾气对所述四氯化硅进行预热之后再进入所述第二气固分离步骤；/n其中，所述三氯氢硅合成步骤得到包含有三氯氢硅的第四尾气，对所述第四尾气进行气固分离，得到第三硅粉和第五尾气，所述第三硅粉作为所述三氯氢硅合成步骤的原料。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚洲硅业(青海)有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司，未经亚洲硅业(青海)有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810983500.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
