[发明专利]SONOS栅端控制电压产生电路

摘要

本发明公开了一种SONOS栅端控制电压产生电路，电荷泵输出端输出负高压信号，多个电阻串联连接在基准电压端与负高压VNEG信号之间，进行分压；多个开关一端依次对应连接在电阻R(K+1)与R0之间串联连接的节点上，另一端连接在一起，作为分压电压输入端；运放的反向输入端接地，正向输入端连接在电阻R(n)与R(K+1)串联节点，输出端与电荷泵相连接；一PMOS晶体管和两个NMOS晶体管依次串联；第一NMOS晶体管的栅极输入分压电压，源极与第二NMOS晶体管的漏极的连接端输出SONOS栅端控制电压信号VNEG_P，该VNEG_P是高于VNEG的负高压信号。本发明能够有效缩短SONOS栅端控制电压的建立时间。

主权项

1.一种SONOS栅端控制电压产生电路，其特征在于：由一运算放大器、一电荷泵、一PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、多个开关和多个电阻组成；所述多个开关分别记为S(K)…S1、S0，所述多个电阻分别记为R(n)、R(K+1)、R(K)…R1、R0，其中，R(n)为第n个电阻，R(K)为第K个电阻，S(K)为第k个开关，n和k为大于等于零的整数，且k小于n；所述电荷泵输出端输出负高压信号VNEG，所述多个电阻R(n)、R(K+1)、R(K)…R1、R0串联连接在基准电压VREF端与负高压信号VNEG之间，对基准电压VREF与负高压信号VNEG之间的电压进行分压；所述多个开关S(K)…S1、S0，其一端依次对应连接在电阻R(K+1)与R0之间串联连接的节点上，另一端连接在一起，作为分压电压VNEG_PP输入端；所述运算放大器的反向输入端接地，其正向输入端连接在电阻R(n)与R(K+1)串联节点DIV，其输出端与电荷泵相连接；第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管依次串联连接，第一PMOS晶体管的源极接地GND，第二NMOS晶体管的源极与负高压信号VNEG端相连接；第一PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极输入SONOS栅端控制电压产生信号CTRL，第一NMOS晶体管的栅极输入分压电压VNEG_PP，第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的漏极的连接端作为输出端输出SONOS栅端控制电压信号VNEG_P，该VNEG_P是高于VNEG的负高压信号。