[发明专利]一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201810984771.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109378346A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;郝跃;马晓华;白丹丹;王冲 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、依次层叠于所述衬底上的缓冲层和沟道层；设置在所述沟道层上的复合势垒层；设置在所述复合势垒层上的阴极、复合阳极和P型AlGaN帽层，所述P型AlGaN帽层位于所述阴极和所述复合阳极之间；设置在所述P型AlGaN帽层上的基极，所述基极的长度小于等于所述P型AlGaN帽层的长度；覆盖在所述复合势垒层、所述P型AlGaN帽层、所述复合阳极、所述阴极和所述基极上的钝化层。本发明实施例基于场板的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，使得二者同时具有较高的性能指标，改善了器件的击穿特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 帽层 肖特基势垒二极管 阴极 复合势垒 复合阳极 场板 沟道层 衬底 器件击穿电压 击穿特性 开启电压 依次层叠 钝化层 缓冲层 减小 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底(101)、依次层叠于所述衬底(101)上的缓冲层(102)和沟道层(103)，其特征在于，还包括：设置在所述沟道层(103)上的复合势垒层；设置在所述复合势垒层上的阴极(107)、复合阳极和P型AlGaN帽层(106)，所述P型AlGaN帽层(106)位于所述阴极(107)和所述复合阳极之间；设置在所述P型AlGaN帽层(106)上的基极(111)，所述基极(111)的长度小于等于所述P型AlGaN帽层(106)的长度；覆盖在所述复合势垒层、所述P型AlGaN帽层(106)、所述复合阳极、所述阴极(107)和所述基极(111)上的钝化层(112)。
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