[发明专利]一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201810984772.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109192788A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;马晓华;郝跃;白丹丹 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上的复合阳极，包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触；位于第三势垒层上的P型GaN帽层；位于P型GaN帽层上的基极；覆盖在复合势垒层、P型GaN帽层、阳极肖特基接触和基极上的钝化层。本发明实施例的GaN基肖特基势垒二极管通过引入复合势垒层、P型GaN帽层、基极和复合阳极，在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，改善了器件的击穿特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 复合势垒 帽层 肖特基势垒二极管 肖特基接触 阳极 复合阳极 沟道层 缓冲层 场板 衬底 器件击穿电压 阳极欧姆接触 阴极 击穿特性 开启电压 钝化层 减小 引入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底(101)、位于所述衬底(101)上的缓冲层(102)和位于所述缓冲层(102)上的沟道层(103)，其特征在于，还包括：第一势垒层(1041)，位于所述沟道层(103)上；第二势垒层(1042)，位于所述沟道层(103)上；第三势垒层(105)，位于所述沟道层(103)上并且设置在所述第一势垒层(1041)和所述第二势垒层(1042)之间；所述第一势垒层(1041)、所述第二势垒层(1042)和所述第三势垒层(105)共同形成复合势垒层；阴极(107)，位于所述第一势垒层(1041)上；阳极欧姆接触(108)，位于所述第二势垒层(1042)上；阳极肖特基接触(110)，覆盖在所述阳极欧姆接触(108)和所述第二势垒层(1042)上，所述阳极欧姆接触(108)和所述阳极肖特基接触(110)共同形成复合阳极；P型GaN帽层(106)，位于所述第三势垒层(105)上；基极(111)，位于所述P型GaN帽层(106)上；钝化层(112)，覆盖在所述复合势垒层、所述P型GaN帽层(106)、所述阳极肖特基接触(110)和所述基极(111)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810984772.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
