[发明专利]半导体元件及绝缘层的制造方法有效
| 申请号： | 201810985149.8 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427735B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;毕诗伟;陈彦羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件包含：具有数个侧壁与底面的第一导电结构，第一导电结构延伸穿过形成在基材上的一或多个隔离层；以及设于第一导电结构的至少一侧壁与一或多个隔离层的各自侧壁之间的绝缘层，其中第一导电结构至少透过底面电性耦合于第二导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 绝缘 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：一第一导电结构，具有多个侧壁与一底面，该第一导电结构延伸穿过形成于一基材上的一或多个隔离层；以及一绝缘层，设于该第一导电结构的至少一所述侧壁与该或该多个隔离层的各自侧壁之间，其中该第一导电结构至少透过该底面电性耦合至一第二导电结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810985149.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：互连结构及其制造方法
- 下一篇：TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法
