[发明专利]一种半导体可靠性评估方法及装置

摘要

本发明提供一种半导体快速可靠性评估方法及装置，包括高效且可靠的可靠性基准（BL）管理系统和基于序贯概率比测试（SPRT）的测试方案。为确保SPRT测试方案的可信设置，应用贝叶斯方法不断更新BL数据库。这是SPRT第一次应用于具有两个未知参数的可靠性风险评估。应用本发明提供的方法及装置，可以快速测得半导体的可靠性，减少样本量和测试时间。

主权项

1.一种半导体快速可靠性评估方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，获取过去监测数据集，借助贝叶斯推理建立实时更新的基准BL数据库，并从基准BL数据库中获得序贯概率比测试SPRT的原假设H0；S2，获取当前监测数据样本测试数据，并从所述当前测试样本数据中估计出其分布的参数，并作为序贯概率比测试SPRT的备择假设H1；S3，判定备择假设H1中形状参数是否在可接受范围内且对应的T0.1％的估计值是否好于下界LSL；S31，如果所述形状参数不在可接收的范围内或对应的T0.1％的估计值小于下界LSL，终止测试并查找原因，实施改进行动措施；S32，如果所述形状参数在可接收的范围内且对应的T0.1％的估计值大于等于下界LSL，则依据序贯概率比测试SPRT，计算出当前样本与当前基准BL的对数似然比R；S321当R≤B时，停止抽样，不拒绝原假设H0；S322当B其中，α代表第一类错误,也称为生产者的风险，β表示第二类错误,也称为客户的风险；其中，下界LSL由公式得到：对于对数正态分布：LSL＝max(exp(μ0.1％‑4σ0.1％),Tspec)，其中，Tspec对应于在正常工作下具有10年寿命的T0.1％，σ0.1％对应于在T0.1％下的形状参数，μ0.1％对应于在T0.1％下的尺度参数；对于威布尔分布：其中，Tspec对应于在正常工作下具有10年寿命的T0.1％，γ0.1％对应于在T0.1％下的形状参数，η0.1％对应于在T0.1％下的尺度参数。