[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法有效
申请号: | 201810985471.0 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109427739B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 沃纳·军林 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含形成集成组件的方法。第一导电结构形成于绝缘支撑材料内并沿第一间距间隔。去除所述第一导电结构的上部区域以形成延伸穿过所述绝缘支撑材料并在所述第一导电结构的下部区域的上方的第一开口。所述第一开口的外侧周边加衬有间隔材料。所述间隔材料被配置成具有延伸穿过其到所述第一导电结构的所述下部区域的第二开口的导管。导电互连件形成于所述导管内。第二导电结构形成于所述间隔材料和所述导电互连件的上方。所述第二导电结构沿第二间距间隔,其中所述第二间距小于所述第一间距。一些实施例包含集成组件。 | ||
搜索关键词: | 集成 组件 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成组件,其包括:沿横截面沿第一间距间隔的第一导电结构;所述第一导电结构沿所述横截面具有第一宽度;在所述第一导电结构的上方并沿所述横截面沿第二间距间隔的第二导电结构,所述第二间距小于或等于所述第一间距的约二分之一;所述第二导电结构沿所述横截面具有小于所述第一宽度的第二宽度;所述第二导电结构中的超过一者沿所述横截面直接在所述第一导电结构中的每一者的上方;以及导电互连件,其从所述第一导电结构中的每一者向上延伸以使所述第一导电结构中的每一者与直接在所述第一导电结构中的每一者上方的所述第二导电结构中的仅一者耦接;所述第二导电结构中的一些直接在所述第一导电结构的上方且不经由导电互连件耦接到所述第一导电结构;所述第二导电结构中的所述一些通过插入绝缘材料与所述第一导电结构垂直地间隔开。
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