[发明专利]制造具有三维布置的存储单元的半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法可以包括：形成堆叠结构，该堆叠结构包括堆叠在基板上的层；在堆叠结构上形成掩模图案；以及使用掩模图案来图案化堆叠结构，使得堆叠结构具有拥有台阶轮廓的端部。堆叠结构的图案化可以包括执行使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻堆叠结构的垫蚀刻工艺、以及执行蚀刻掩模图案的侧壁的掩模蚀刻工艺。掩模蚀刻工艺的执行可以包括将离子束照射到掩模图案上，该离子束可以相对于掩模图案的侧壁以第一倾斜角照射，并且相对于掩模图案的顶表面以第二倾斜角照射。第一倾斜角可以不同于第二倾斜角。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括垂直地堆叠在基板上的多个层；在所述堆叠结构上形成掩模图案；以及使用所述掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述堆叠结构，使得所述堆叠结构具有拥有台阶轮廓的端部，其中所述堆叠结构的图案化包括：执行使用所述掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的垫蚀刻工艺；以及执行蚀刻所述掩模图案的侧壁的掩模蚀刻工艺，其中所述掩模蚀刻工艺的执行包括将离子束照射到所述掩模图案上，其中所述离子束相对于所述掩模图案的所述侧壁以第一倾斜角照射，并以相对于所述掩模图案的顶表面以第二倾斜角照射，以及其中所述第一倾斜角不同于所述第二倾斜角。